国立大学法人東北大学・未来科学技術共同研究センター・横山弘之教授とソニー 先端マテリアル研究所は、共同研究の成果として、レザー光のピーク出力を従来の世界最高値から一気に100倍向上させた青紫色超短パルス半導体レーザーを開発したと発表。
今回開発に成功したのは、波長405ナノメートル(1ナノメートルは1メートルの10億分の1)の青紫色領域で、3ピコ秒(1ピコ秒は1秒の1 兆分の1)の超短時間幅、100ワットの超高出力ピーク出力、1ギガヘルツの繰り返し周波数を持つ、光パルスを発生できる半導体レーザー。新開発・独自構造の窒化ガリウム(GaN)系モード同期型半導体レーザーと光半導体増幅器を高度に制御することで、従来の青紫色パルス半導体レーザー出力の世界最高値の 100倍以上にもなる100ワット超のピーク出力を実現している。
半導体レーザーシステムは、将来、装置を大幅に小型化できる技術で、用途の大幅な拡大が期待できる。超高出力・超短パルス半導体レーザー光源では、高強度レーザー光のもとでのみ生じる2光子吸収と呼ばれる非線形現象を利用することが可能で、レーザー光をレンズで集光した際、レンズの焦点付近でのみ、レンズの焦点スポット径よりも小さな領域で化学変化や熱的な変化を起こすことができる。この性質を応用することで、無機・有機物質のナノメートルオーダーの3次元微細加工や、次世代大容量光ディスク記録など、幅広い分野への応用の可能性が広がるものと期待できる。従来の100倍の出力を発生させるとは凄い事ですね。様々な分野で応用される事を期待したいですね。
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